Khi MediaTek vừa công bố chip Dimensity 9400 cao cấp, mọi sự chú ý đều hướng về SoC cao cấp tiếp theo từ Qualcomm, chính là Snapdragon 8 Elite.
Theo các thông tin rò rỉ gần đây, chipset cao cấp tiếp theo của Qualcomm hứa hẹn sẽ mang lại hiệu suất ấn tượng, nhờ vào lõi chính có xung nhịp vượt quá 4GHz. Tuy nhiên, sức mạnh này có thể sẽ phải hy sinh một số yếu tố khác, như tỏa nhiệt và tuổi thọ pin.
Cụ thể, tuần qua, chúng ta đã thấy điểm chuẩn của ba phiên bản chip Snapdragon 8 Elite. Phiên bản tiêu chuẩn có xung nhịp cơ bản là 2.78 GHz và tối đa đạt 4.09 GHz. Trong khi đó, Samsung được cho là đang thử nghiệm hai phiên bản ép xung của SoC này cho dòng Galaxy S25, với tốc độ lần lượt là 2.90 GHz/4.19 GHz và 3 GHz/4.47 GHz.
Tuy nhiên, những thông số này có thể gây hại nhiều hơn lợi, nếu thông tin rò rỉ là chính xác. Theo các nguồn tin, ngay cả phiên bản chip Snapdragon 8 Elite tiêu chuẩn cũng có thể gặp khó khăn trong việc kiểm soát nhiệt độ và hiệu suất pin.
Theo báo cáo, SoC tiêu thụ hơn 20W điện và đạt nhiệt độ cao lên tới 98.5°C ngay cả khi sử dụng bình thường. Không có biện pháp điều chỉnh nào có thể giúp giảm mức tiêu thụ điện hoặc làm mát thiết bị.
Điều đáng lo ngại là thông tin rò rỉ này được cho là đến từ "phiên bản chính thức" của chip, mặc dù đã cách đây ba tháng. Mức tiêu thụ điện năng cao này có thể lý giải vì sao các thương hiệu dự kiến sẽ trang bị pin hơn 6,000mAh cho các flagship tiếp theo sử dụng SoC này.
Nguồn: Gizmochina
Mytour hiện đang cung cấp nhiều mẫu điện thoại cấu hình cao với các chương trình khuyến mãi hấp dẫn, hãy cùng tham khảo bên dưới nhé!