Buzz
Theo các báo cáo mới nhất, Samsung đang phát triển một thành viên mới trong dòng Galaxy S24, có tên là Galaxy S24 FE.
Hôm nay, chiếc điện thoại thông minh này đã xuất hiện trên trang web đánh giá hiệu năng Geekbench với một số thông số kỹ thuật chính.
Theo thông tin này, điện thoại Galaxy S24 FE sử dụng con chip SM-S721B đã đạt 2,047 điểm trong kiểm tra lõi đơn và 6,289 điểm trong kiểm tra đa lõi của Geekbench. Thông tin cũng cho thấy S24 FE có CPU 10 lõi và bo mạch chủ ID s5e9945. Dựa trên các thông số này, dường như Samsung sẽ áp dụng chip Exynos 2400 cao cấp cho mẫu điện thoại Fan Edition tiếp theo.
Tuy nhiên, đây có vẻ là phiên bản rút gọn của Exynos 2400 so với Galaxy S24. Lõi Cortex-X4 chính trên S24 FE có tốc độ 3,11 GHz, thấp hơn một chút so với Exynos 2400 tiêu chuẩn (3.21 GHz). GPU Xclipse 940 và các thông số kỹ thuật khác vẫn được giữ nguyên.
Thông tin này cho thấy Samsung có thể sử dụng chip Exynos 2400 với xung nhịp thấp hơn cho Galaxy S24 FE. Con chip này dự kiến sẽ kết hợp với RAM LPDDR5X lên đến 12GB, so với 8GB trên model cao cấp nhất của Galaxy S23 FE. Ngoài ra, bộ nhớ trong 256GB của S24 FE sử dụng công nghệ UFS 4.0.
Các thông số kỹ thuật cho Galaxy S24 FE bao gồm màn hình 6.7 inch và hệ thống camera tương tự như trên Galaxy S24 và Galaxy S23 FE. Điện thoại có thiết kế có thể tương đồng với các phiên bản trước và sử dụng pin 4,500mAh hỗ trợ sạc nhanh dây 25W và không dây 15W.
Nguồn: Gizmochina
Nếu bạn đang quan tâm đến Galaxy S24 FE của Samsung, hãy đăng ký ngay bên dưới để nhận thông tin cập nhật mới nhất về sản phẩm nhé!
