Buzz
IBM và Samsung thông báo một thiết kế chip bán dẫn mới, tiếp tục định luật Moore - một cách tiếp cận mới với việc tích hợp các bóng bán dẫn trên một con chip để dòng điện chạy theo chiều dọc, giúp tiết kiệm năng lượng và diện tích bề mặt của chip, mở ra nhiều triển vọng mới cho nhiều lĩnh vực công nghệ trong tương lai.
Với thiết kế mới này, kích thước của chip sẽ nhỏ gọn hơn, tiêu thụ năng lượng ít hơn và có khả năng tăng thời lượng pin của điện thoại thông minh lên đến 1 tuần hoặc hơn chỉ với một lần sạc, cùng với nhiều tiềm năng thú vị trong các lĩnh vực như điện toán đám mây, trí tuệ nhân tạo, IoT, hàng không vũ trụ, v.v...
Các viên bán dẫn hiện nay được đặt phẳng trên bề mặt của chip, giúp dòng điện lưu thông mạnh mẽ hơn từ bên này sang bên kia. Mô hình mới của chip, do IBM & Samsung phát triển, mang tên là 'VTFET' (Vertical Transport Field Effect Transistors), cho phép việc tích hợp các viên bán dẫn theo kiểu vuông góc, thúc đẩy dòng điện chạy lên và xuống theo chiều dọc thay vì chiều ngang.
Theo IBM, mô hình mới này không chỉ cho phép thêm nhiều viên bán dẫn hơn vào chip mà còn tối ưu hóa các điểm tiếp xúc giữa chúng, đồng thời tiết kiệm năng lượng đáng kể. IBM cũng cho biết thiết kế này có khả năng tăng hiệu suất gấp đôi so với các giải pháp hiện có hoặc giảm tới 85% lượng năng lượng tiêu thụ, một thành tựu đáng chú ý.
IBM đã thử nghiệm sản xuất các chip mới với mô hình VTFET và kết quả cho thấy nó đã trở thành yếu tố chính để tạo ra những ứng dụng 'thay đổi cuộc chơi' trong nhiều lĩnh vực khác nhau.
Công nghệ này cũng có thể giúp tàu vũ trụ hoạt động hiệu quả hơn và theo IBM, pin của điện thoại thông minh có thể sử dụng được lâu hơn một tuần mà không cần sạc lại.Nguồn: IBM
