IBM và Samsung thông báo chip mới mang lại thời lượng pin siêu khủng cho điện thoại thông minh

Buzz

Ngày cập nhật gần nhất: 15/4/2026

Đọc tóm tắt

- IBM và Samsung giới thiệu công nghệ VTFET tăng mật độ bóng bán dẫn.
- Hiệu năng gấp đôi và thời lượng pin kéo dài tới cả tuần.
- VTFET sắp xếp bóng bán dẫn theo chiều dọc.
- Bước tiến sau FinFET, giải pháp khi công nghệ tiến đến giới hạn.
- Xếp chồng bóng bán dẫn trên cùng một bề mặt.
- Chứng minh tính đúng đắn của định luật Moore.
- Thiết kế chip mới mang lại hiệu năng gấp đôi và tiêu thụ điện hiệu quả hơn 85%.

IBM và Samsung chính thức giới thiệu công nghệ tiên tiến trong thiết kế chip bán dẫn, nhằm tăng mật độ bóng bán dẫn nhiều lần so với hiện nay. Kết quả mà người dùng sẽ trải nghiệm trong tương lai là hiệu năng gấp đôi, hoặc thời lượng pin có thể kéo dài tới cả tuần.

VTFET là tên của công nghệ mới, nguyên lý cơ bản là sắp xếp các lớp bóng bán dẫn theo chiều dọc, thay vì theo chiều ngang như thế hệ hiện tại. VTFET có thể xem như là bước tiến tiếp theo sau FinFET đang được sử dụng rộng rãi ngày nay.

Khi công nghệ tiến đến giới hạn, sắp xếp bóng bán dẫn theo chiều dọc là hướng tiếp theo. Trên cùng một bề mặt bán dẫn, khi không thể sắp xếp bóng bán dẫn nữa, giải pháp là xếp chồng lên nhau. Điều này tiếp tục chứng minh tính đúng đắn của định luật Moore.

Hai công ty công bố rằng thiết kế chip mới mang lại hiệu năng gấp đôi hoặc tiêu thụ điện hiệu quả hơn 85%.

Nguồn: The Verge

Nội dung từ Mytour nhằm chăm sóc khách hàng và khuyến khích du lịch, chúng tôi không chịu trách nhiệm và không áp dụng cho mục đích khác.

Nếu bài viết sai sót hoặc không phù hợp, vui lòng liên hệ qua Zalo: 0978812412 hoặc Email: [email protected]