Buzz
Hiện tại, Intel đang tận dụng tiến trình 10nm SuperFIN đến mức tối đa. Điều này đánh dấu một bước tiến quan trọng khi chúng ta chứng kiến việc thu nhỏ tiến trình sau nhiều năm kẹt ở 14nm. Tiến trình 10nm SuperFIN đang được sử dụng rộng rãi trong sản xuất các sản phẩm của Intel, bao gồm cả vi xử lý thế hệ 11 cho laptop, GPU và máy chủ.
Sau giai đoạn tiến trình 3 của Intel là giai đoạn 20A, được gọi là kỷ nguyên Angstrom. Trong giai đoạn này, Intel ra mắt RibbonFET, một biến thể mới của thiết kế transistor GAA (Gate-All-Around), kèm theo công nghệ PowerVIA.
10A (Angstrom) tương đương 1nm và 20A tương đương 2nm. Tuy nhiên, điểm đáng chú ý không phải là kích thước mà là thiết kế transistor, chuyển từ FinFET sang GAAFET.
Tất cả các transistor hoạt động bằng cách điều khiển sự chuyển động của electron. Một transistor bao gồm ba thành phần chính: source, drain và gate. Khi áp dụng điện trường tại gate, electron có thể chuyển động từ source sang drain, điều này cũng là cách transistor hoạt động.
Tuy nhiên, electron vẫn rò rỉ từ điểm nối bán dẫn giữa chất bán dẫn p-type và n-type ngay cả khi gate đã ngắt điện. Khi kích thước của gate giảm, việc đạt được trạng thái tĩnh điện hoàn toàn trở nên khó khăn hơn và dẫn đến tình trạng rò rỉ, ảnh hưởng đến hiệu suất của vi xử lý.
FinFET là một tiến bộ từ Planar CMOS, với vây fin bằng silicon chứa source và drain để tăng bề mặt của channel, cho phép electron di chuyển mạnh mẽ hơn. Tuy nhiên, khi chiều dài của gate giảm đến giới hạn vật lý, hiệu ứng đoản kênh và rò rỉ electron ở mặt dưới của channel trở thành vấn đề. GAA là giải pháp tiếp theo.
Hiện nay, tất cả các nhà sản xuất bán dẫn đều sử dụng thiết kế GAA, gọi là MCBFET của Samsung hoặc RibbonFET của Intel. Nguyên lý cơ bản là bọc kênh bên trong gate để hạn chế tối đa rò rỉ electron. Khi channel được bao bọc trong gate, nó được gọi là GATE-ALL-AROUND (GAA) hoặc nano-wired.
Một công nghệ mới trên tiến trình Intel 20A là PowerVIA - thay đổi cách con chip được thiết kế từ mô hình nhiều tầng thành bánh mì kẹp. Lớp transistor ở giữa với các dây dẫn cho phép các thành phần của chip tương tác với nhau, giảm thiểu nhiễu tín hiệu và nâng cao hiệu suất.
