Theo những nguồn tin mới nhất, vi xử lý Qualcomm Snapdragon 830 sẽ chính thức xuất hiện vào cuối năm 2017 (khác biệt hoàn toàn so với những tin đồn trước đó).
Sản xuất theo công nghệ 10nm FinFET

Với công nghệ này, Snapdragon 830 sẽ có sự cải thiện đáng kể về sức mạnh xử lý và hiệu suất nhiệt. Quan trọng hơn, kích thước tổng thể của vi xử lý cũng được giảm mỏng, hứa hẹn tiêu thụ ít điện năng hơn so với các thế hệ trước đó.
Sử dụng công nghệ sạc nhanh Quick Charge 4.0

Với công nghệ Quick Charge 4.0, chỉ cần 15 phút sạc là bạn có thể sở hữu 50% dung lượng pin. Điều này giúp tăng tốc quá trình sạc, tăng hiệu suất pin lên 30% so với Quick Charge 3.0, và giảm nhiệt độ sạc đáng kể. Không chỉ vậy, Quick Charge 4.0 còn bảo vệ pin khỏi quá tải, giữ cho chu kỳ sạc ổn định, nâng cao tuổi thọ pin, và giảm nguy cơ cháy nổ một cách đáng kể.
Các thông số kỹ thuật đáng chú ý
- Snapdragon 830 sẽ được trang bị 6 hoặc 8 lõi Kryo 200 và tích hợp đồ họa Adreno 519
- Hỗ trợ công nghệ mạng LTE Cat 12 với tốc độ cao

Dựa trên những thông tin được tiết lộ, chip Snapdragon 830 dự kiến sẽ trang bị nhiều trên các mẫu điện thoại cao cấp trong năm tới.
Khám phá thêm:
>>> Tìm hiểu về vi xử lý Kirin 970
>>> Khám phá về chip MediaTek Helio X30
