Hiện tại, công ty bán dẫn Hàn Quốc là đơn vị duy nhất cung cấp dịch vụ sản xuất chip GAAFET trên thị trường, nhưng hiệu suất thấp đã khiến Samsung Foundry không được đánh giá cao trong mắt khách hàng. Mới đây, Samsung đã cập nhật lại lộ trình dịch vụ gia công của mình, giới thiệu các dây chuyền mới 2 nm, 1.4 nm cũng bổ sung tính năng cấp điện phía sau (BSPDN - BackSide Power Delivery Network) tương tự như Intel và TSMC đã từng công bố.
Trong số các dây chuyền 2 nm của Samsung, dây chuyền SF2 khiến người nghe... cúi đầu vì nó vốn là dây chuyền SF3P (3 nm) đã đổi tên! Theo Samsung, lý do của việc đổi tên này là vì SF3P đã được cải tiến và tối ưu hóa đáng kể. Tuy nhiên, chúng ta cũng có thể đoán rằng Samsung đổi tên để giảm thiểu những ảnh hưởng tiêu cực về dây chuyền 3 nm của họ. Dù vẫn dựa trên SP3F, nhưng SF2 sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt vào năm sau (trong khi SP3 vẫn còn sẵn có vào năm 2024).
Các dây chuyền 2 nm khác nhau của Samsung
So sánh tiến trình bán dẫn giữa Intel, Samsung và TSMC đến năm 2027
Một điểm nổi bật là vào năm 2027, Samsung cũng sẽ tung ra dây chuyền SF1.4 mới (1.4 nm). Tuy nhiên, dựa trên tên gọi, có thể thấy rằng công ty Hàn Quốc sẽ 'lỡ một bước' so với các đối thủ từ Mỹ và Đài Loan. Intel dự kiến giới thiệu Intel 14A vào năm 2026 trong khi TSMC sẽ ra mắt N2 vào năm 2025. Samsung cũng áp dụng thiết kế backside sau như hai đối thủ của mình, mặc dù chưa rõ liệu SF1.4 có bao gồm backside hay không (hoặc sẽ phân chia ra thành các dây chuyền frontside và backside riêng biệt).
Ngoài ra, Samsung cũng giới thiệu hai dây chuyền mới 4 nm trong năm 2025 là SF4U và SF4A. Tuy hãng không nói nhiều, chỉ nhấn mạnh về 'giá trị cao'. Tuy nhiên, với việc sử dụng công nghệ FinFET đã được phổ biến trong ngành công nghiệp, việc triển khai SF4A/4U hứa hẹn sẽ mượt mà hơn rất nhiều so với dây chuyền SF3 từng gây tranh cãi.
Samsung