Buzz
Tại hội nghị Flash Memory thường niên, Micron chính thức công bố thế hệ thứ 5 của bộ nhớ 3D NAND với 176 lớp, là sự thay thế cho dòng 96 lớp đang phổ biến trên thị trường của MicronSau khi chia tay với Intel, Micron đã chuyển sang thiết kế cell nhớ charge-trap hoặc replacement-gate thay vì sử dụng thiết kế floating-gate truyền thống. Trước đó, công ty đã áp dụng thiết kế này trên dòng 3D NAND 128 layer, chúng đã đóng vai trò là node chuyển dịch, thử nghiệm công nghệ và tạo nền tảng để phát triển sản phẩm 176L.
Kiến trúc replacement-gate của Micron giúp loại bỏ điện dung giữa các cell, tăng độ bền ghi và hiệu suất điện năng cao hơn.Micron vẫn giữ bí mật về công nghệ NAND 176L. Tuy nhiên, các đế chip đầu tiên sử dụng công nghệ này có dung lượng 512 Gbit và cấu trúc gồm 2 deck 88 lớp xếp lên nhau. Điều này giúp Micron vượt qua Samsung với số lượng lớp trên đế chip cao hơn.
Chuyển sang thiết kế replacement-gate giúp Micron giảm độ dày của mỗi lớp. Ví dụ, đế chip 176 lớp có độ dày 45 micron, tương đương với dòng 3D NAND 64-layer của Micron với thiết kế floating-gate. Công nghệ CMOS under Array (CuA) giúp đế chip 176L 512 Gbit nhỏ gọn hơn tầm 30% so với các giải pháp tương tự của các hãng khác. Trên lý thuyết, những thiết bị lưu trữ nhỏ như ổ M.2 hay chip eMMC tích hợp có thể đạt dung lượng cao hơn.Dòng NAND 176L của Micron đạt tốc độ giao tiếp lên đến 1600 MT/s, tăng từ mức 1200 MT/s của thế hệ 96L và 128L. Độ trễ đọc và ghi cũng được cải thiện 35% so với 96L và 25% so với 128L. Thế hệ 3D NAND 176L này đã bắt đầu được sản xuất hàng loạt và sẽ sớm xuất hiện trên SSD thương mại Crucial.Theo: AnandTech
