Buzz
Việc thu nhỏ kích thước chip bán dẫn xuống cấp 3 nm là minh chứng rõ ràng cho sức mạnh công nghệ và vị thế hàng đầu của Samsung trong ngành sản xuất chip.
Tại sự kiện Samsung Foundry Forum 2018, Samsung giới thiệu công nghệ sản xuất mới nhằm mục tiêu hướng đến các thiết bị tính toán hiệu năng cao và có khả năng kết nối mạnh mẽ.
Kế hoạch sản xuất chip của Samsung tập trung vào việc cung cấp sản phẩm tiêu thụ năng lượng hiệu quả hơn, đáp ứng nhu cầu đa dạng của ngành công nghiệp.
Samsung đang phát triển công nghệ tiếp theo với quy trình 7 nm Low Power Plus sử dụng kỹ thuật in EUV.
Samsung đang tiến tới việc thu nhỏ kích thước chip ở mức 5 nm Low Power Early và 4 nm Low Power Early và Low Power Plus, mang lại cải tiến đáng kể về hiệu suất.
Trong kế hoạch công bố mới nhất, Samsung đặt điểm cao nhất ở quy trình sản xuất bóng bán dẫn ở mức 3 nm Gate All Around Early/Plus, sử dụng công nghệ MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET).
Mặc dù việc sản xuất con chip ở quy trình 3 nm có thể sẽ mất vài năm, nhưng người dùng có thể yên tâm với giải pháp này, tạo ra những con chip mạnh mẽ và tiết kiệm điện hơn. Dự kiến quy trình 3 nm sẽ sẵn sàng vào năm 2022.
Theo Techspot
