Buzz
Trong khi RAM DDR5 hiện đang chưa phổ biến, Samsung đã xác nhận bắt đầu phát triển thế hệ bộ nhớ tiếp theo - DDR6. Theo thông tin từ Samsung, DDR6 sẽ sử dụng công nghệ mSAP và nhằm đến tốc độ 17,000 Mbps.Tại buổi hội thảo ở Suwon, Hàn Quốc, Phó Chủ tịch phụ trách TSP (Test and System Package - Thử nghiệm và Đóng gói Hệ thống) cho biết công nghệ đóng gói cần phải được phát triển để đáp ứng kịp với việc hiệu năng bộ nhớ ngày càng mở rộng. Ông cũng xác nhận rằng Samsung đang trong giai đoạn phát triển ban đầu của bộ nhớ trong DDR6, và ứng dụng công nghệ mSAP (modified Semi-Additive Process). mSAP hiện tại đã được các đối thủ của Samsung sử dụng cho RAM DDR5, như SK hynix và Micron.SAP (Semi-Additive Process) và mSAP không phải là công nghệ mới trong lĩnh vực điện tử, đã phổ biến khi chế tạo substrates điện tử. Mặc dù vậy, gần đây chúng lại trở nên nổi bật trong lĩnh vực mạch in (PCB). Mọi chiếc smartphone mà chúng ta sử dụng đều tích hợp công nghệ này trong các bảng mạch của mình. Các ngành công nghiệp liên quan khác cũng đã và đang nghiên cứu và triển khai mSAP cho PCBs. Có 3 quy trình sản xuất PCB khác nhau, bao gồm:
- Subtractive: Quy trình sản xuất PCB truyền thống, tồn tại từ lâu và khá trưởng thành, loại bỏ đồng dư thừa từ cả hai mặt của lớp laminate đồng (CCL), thường sử dụng quy trình sản xuất PCB với phim âm bản.
- Additive: Thay vì loại bỏ đồng dư thừa, quy trình này bắt đầu bằng cách in thiết kế mạch lên lớp cơ sở và sau đó mạ điện để đồng phủ lên các đường mạch. Additive đòi hỏi chất lượng cao về mạ đồng không dẫn điện và độ bám dính mạnh giữa đồng và bảng mạch. Đây là quy trình đơn giản, tiết kiệm chi phí cho việc sản xuất PCB hai lớp giá rẻ.
- Semi-Additive: Một sự cải tiến từ Additive nhằm tạo ra các đường mạch nhỏ hơn. Trong quy trình này, một phần của đồng được mạ lên CCL ban đầu, sau đó lại mạ điện để phủ lên các khu vực không cần mạ (pattern plating). Được gọi là Semi-Additive vì nó cần một lần mạ điện thứ hai, còn được biết đến là quy trình sản xuất PCB với phim dương bản (Pattern/Positive film).
Các đường mạch có kích thước từ 50 µm trở lên có thể sản xuất một cách đáng tin cậy bằng quy trình Subtractive với độ tin cậy cao. Tuy nhiên, khi công nghệ phát triển và cần đến các đường mạch siêu nhỏ, SAP và biến thể của nó như mSAP trở nên quan trọng. mSAP cho phép các nhà sản xuất DRAM tạo ra các module bộ nhớ với đường mạch cải tiến, nâng cao khả năng kết nối và tốc độ truyền tải. Thế hệ DDR6 không chỉ sử dụng mSAP để cải thiện kết nối mạch mà còn giới thiệu thêm các lớp. Ngoài ra, chân kết nối cũng sử dụng các công nghệ đóng gói như Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) và Fan-Out Panel-Level Packaging (FOPLP), giảm kích thước chip nhớ mà vẫn duy trì bố cục chân kết nối mạnh mẽ.
Samsung kỳ vọng rằng việc hoàn thiện thiết kế DDR6 sẽ diễn ra vào năm 2024, tuy nhiên thương mại có lẽ sẽ chờ đến sau năm 2025. Về mặt kỹ thuật, DDR6 hứa hẹn nhanh gấp đôi so với DDR5 hiện tại, với tốc độ truyền tải lên đến 12,800 Mbps (theo chuẩn JEDEC) và tốc độ ép xung vượt qua 17,000 Mbps. So với tốc độ tối đa của Samsung DDR5 hiện tại là 7200 Mbps, DDR6 dự kiến sẽ cải thiện lên đến 1.7 lần (JEDEC) và 2.36 lần (OC).
SamMobile
