Buzz
Samsung Electronics đang phát triển các chip nhớ DDR5 DRAM trên tiến trình 12 nm, mỗi chip có dung lượng 16 Gb (tương đương 2 GB). Các chip nhớ mới đã trải qua các đánh giá để xác thực khả năng tương thích và tối ưu cho nền tảng AMD Zen.
Sự tiến bộ mới trong việc sản xuất DDR5 DRAM 12 nm đã được đạt được nhờ vào việc sử dụng vật liệu high-κ, hỗ trợ tăng cường điện dung của các ô nhớ, kết hợp với công nghệ thiết kế độc quyền, cải thiện các đặc tính của mạch điện chủ chốt. Kỹ thuật quang khắc cực tím EUV cũng đã giúp cho chip DRAM mới có mật độ cao nhất trong ngành, đồng thời năng suất bán dẫn cũng tăng lên 20%. Chip nhớ Samsung DDR5 DRAM 12 nm có tốc độ lên đến 7200 MT/s, tiết kiệm điện năng và hiệu năng cao hơn 23% so với thế hệ trước.Samsung chuẩn bị tung ra thị trường loạt chip nhớ DDR5 DRAM sản xuất trên công nghệ tiến tiến 12 nm vào đầu năm sau. Công nghệ DDR5 DRAM mới này dự kiến sẽ xuất hiện trên các sản phẩm từ Q4/2023.Thông tin chi tiết tại đây
