Buzz
Chiếc điện thoại này dự kiến sẽ có viên pin lớn bên trong thiết kế "siêu mỏng".
Theo thông tin từ The Elec của Hàn Quốc, Samsung dự định ra mắt phiên bản FE trong dòng Galaxy S25 vào tháng 6 năm sau. Máy sẽ trang bị chip Dimensity 9400 thay vì Exynos 2500 và sẽ mỏng hơn so với phiên bản trước đó.
Leaker Junkanlosreve cho biết Galaxy S25 FE sẽ được trang bị chip Dimensity.
Theo báo cáo gần đây, Samsung đang nghiên cứu để phát triển viên pin lớn nhưng mỏng hơn nhiều so với các mẫu trước. Điều này tạo ra kỳ vọng rằng hãng sẽ ra mắt S25 FE với thiết kế siêu mỏng vào năm 2025. Để sử dụng viên pin lớn hơn, Samsung cần phải thiết kế lại các linh kiện bên trong máy.
Nhìn lại thông số của "đàn anh" Galaxy S24 FE, máy có độ dày 8mm, nặng 213g, màn hình kích thước 6.7 inch với tỷ lệ khung hình 19.5:9. Bên trong, máy được trang bị pin 4.700 mAh, tăng từ 4000 mAh trên Galaxy S24.
Mặc dù pin anode silicon-carbon mật độ cao đã có trên thị trường, nhưng đến nay vẫn chưa có thông tin xác nhận liệu hãng có sử dụng loại pin này hay không. Được biết, pin anode silicon-carbon có dung lượng cao nhưng mỏng hơn nhiều so với pin anode graphite truyền thống.
Hiện tại, chưa có nhiều thông tin về Galaxy S25 FE, nhưng dự kiến chiếc máy này sẽ trang bị màn hình 6.7 inch giống như Galaxy S24 FE. Ngoài ra, người dùng cũng mong đợi thiết kế của điện thoại này sẽ tương tự như Galaxy S24 và giữ nguyên tiêu chuẩn chống nước, chống bụi IP68.
