Buzz
Vi xử lý Snapdragon 8 Gen 3 trên Samsung Galaxy S24 Plus tiếp tục tạo ấn tượng trên Geekbench.
Khám phá chi tiết về hiệu suất của Samsung Galaxy S24 Plus với Snapdragon 8 Gen 3.
Snapdragon 8 Gen 3 sẽ có 1 nhân xung nhịp 3.3GHz, 3 nhân hiệu năng cao 3.15GHz, 2 nhân xung nhịp 2.96GHz, 2 nhân xung nhịp thấp 2.27Ghz.
Chú ý rằng, mặc dù có sự khác biệt giữa các lõi hiệu suất trên 8 Gen 2 (A715 và A710), nhưng chúng đều chạy ở cùng một xung nhịp. 8 Gen 3 lại có hai cụm lõi chạy ở các xung nhịp khác nhau, với câu hỏi liệu chúng có phải là hai lõi khác nhau hay không. ARM đã giới thiệu lõi Cortex-X4, A720 và A520, dự kiến sẽ xuất hiện trên vi xử lý Snapdragon 8 Gen 3.
Cấu hình lõi 1+5+2 hay chính xác hơn là 1+(3+2)+2 tuân theo thiết kế của ARM khi tạo ra các lõi này. Lõi X4 hứa hẹn mang lại hiệu suất cao hơn 15% với công suất tương đương hoặc tiết kiệm điện năng hơn 25% với hiệu suất tương đương. Dự kiến lõi X4 sẽ có xung nhịp lên đến 3.4 GHz, gần bằng với chip 8+ Gen 2 dành cho dòng Galaxy hiện tại.
Chip Snapdragon 8 Gen 3
Luôn có khả năng một số chế độ hiệu suất có thể đã tăng cường xung nhịp tối đa. Còn vấn đề là liệu đây có phải là chip dành cho dòng Galaxy hay không – cho rằng đã có thỏa thuận gia hạn với Qualcomm đến năm sau.
Ngay cả khi không, tăng cường so với Snapdragon 8 Gen 2 cho dòng Galaxy là khá lớn cho một thế hệ mới, +12% ở hiệu suất đơn nhân và +26% ở hiệu suất đa nhân. Hiệu suất đơn lõi vẫn thua chip A16, trong khi điểm số đa lõi lại cao hơn.
