Buzz
Samsung Foundry là nhà máy sản xuất đầu tiên triển khai công nghệ GAAFET sau gần 1 thập kỷ sản xuất dựa trên FINFET. Thông tin mới nhất cho biết tỉ lệ đạt chuẩn của node 3 nm GAAFET đã đạt tới 60 - 70%. Tỉ lệ đang có này là ở giai đoạn phát triển của node, dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào cuối năm 2023. Con số 60 - 70% này là rất quan trọng trong việc thu hút khách hàng và xác định chi phí trên mỗi tấm wafer.
Hồi đầu năm 2022, Samsung Foundry có sản lượng chip trên node 4 nm chỉ ở mức 35%, họ mất 1 phần đơn hàng Snapdragon 8 Gen 1 cho TSMC - vốn có sản lượng tới 70%. Đến cuối năm ngoái, dù đi đầu trong cuộc đua sản xuất bán dẫn 3 nm GAAFET nhưng tỉ lệ đạt chuẩn của Samsung chỉ là 20%, nguyên nhân do công nghệ ESD (Electrostatic Discharge). Có vẻ như sau những sự trợ giúp từ Silicon Frontline Technology, Samsung đã cải thiện tốt sản lượng trên node 3 nm. Nguồn tin không chính thức cho biết tỉ lệ sản lượng trên tiến trình 3 nm của TSMC cũng chỉ khoảng 55%.Theo Samsung, trong khoảng thời gian từ 2023 đến 2024, các node 3 nm sẽ thống trị thị trường, bao gồm cả SF3 (3GAP) và phiên bản cải tiến SF3P (3GAP+). Kế hoạch tiếp theo là ra mắt các node 2 nm vào khoảng 2025 - 2026. Phía TSMC cũng có kế hoạch tương tự, với việc tung ra node 3 nm thế hệ 2 (N3E) vào cuối năm 2024 và node 2 nm (N2) sẽ được ra mắt từ năm 2025.fnnews
