Buzz
Theo thông tin từ SK hynix, họ đã thành công trong việc phát triển các chip nhớ HBM3 12 tầng đầu tiên trong ngành công nghiệp và đã cung cấp mẫu thử cho khách hàng. HBM3 12 tầng có dung lượng 24 GB, tăng 50% so với HBM3 8 tầng trước đó. Theo báo cáo của JEDEC, việc xếp chồng DRAM có thể đạt tới mức tối đa 16 tầng, với dung lượng cuối cùng là 32 GB.Bộ nhớ có băng thông cao (HBM - High Bandwidth Memory) là một giải pháp bộ nhớ nhúng được đặt trực tiếp lên GPU thông qua việc xếp chồng, áp dụng công nghệ TSV (Through-Silicon Via) tương tự như 3D V-Cache của AMD. HBM mang lại lợi thế lớn cho GPU trong việc trao đổi dữ liệu, bởi khoảng cách gần gũi giữa GPU và bộ nhớ, từ đó tăng cường hiệu năng so với bộ nhớ đồ họa thường (GDDR6/GDDR6X) vốn được hàn lên PCB.
Công nghệ TSV của SK hynix giúp giảm 40% độ dày của mỗi chip DRAM, từ đó có thể tăng số lớp xếp chồng, dẫn đến tăng dung lượng mỗi chip nhớ. Điều này giúp duy trì tổng độ dày/cao như thế hệ trước đó với HBM3 8 lớp 16 GB. Sự hiệu quả trong sản xuất và ổn định hiệu năng được cải thiện bằng công nghệ MR-MUF tiên tiến (Advanced Mass Reflow Molded Underfill). Phương pháp này đặt nhiều chip lên phần đế chip dưới cùng, kết nối chúng bằng hàn đối lưu, sau đó lấp đầy khoảng trống giữa các chip và giữa chip với đế chip bằng vật liệu đúc khuôn.HBM3 12 lớp của SK hynix sẽ mang lại nhiều lợi ích cho trung tâm dữ liệu, nơi GPU cần nhiều bộ nhớ để thực hiện các tác vụ tính toán phức tạp như mô phỏng, máy học hoặc trí tuệ nhân tạo. SK hynix cũng nhận thấy nhu cầu ngày càng tăng về VRAM lớn cho đồ họa, đặc biệt trong các ứng dụng liên quan đến trí tuệ nhân tạo và chatbot. Quá trình tiền sản xuất đang hoàn thiện, dự kiến sản xuất hàng loạt HBM3 12 lớp vào nửa cuối năm nay.SK hynix
