Buzz
PLC NAND sẽ thay thế QLC và mở ra cánh cửa cho ổ SSD dung lượng cao với giá rẻ hơn. Công nghệ này đã được Solidigm giới thiệu tại hội nghị Flash Memory Summit 2022. Penta-Level Cell cho phép lưu trữ 5 bit dữ liệu/cell nhớ, vượt trội hơn QLC và TLC.
PLC thêm các trạng thái điện áp để tăng dung lượng lưu trữ. SLC, MLC, TLC, QLC đã được nâng cấp lần lượt với số lượng trạng thái điện áp tăng dần, từ 2, 4, 8, 16 đến 32, điều này giúp mỗi cell nhớ có thể lưu được nhiều giá trị dữ liệu hơn.
Một ưu điểm rõ ràng của PLC NAND là khả năng lưu trữ cao, mặc dù điều này có thể làm giảm độ bền của cell nhớ, ảnh hưởng đến tuổi thọ tổng thể của SSD. Với 16 trạng thái điện áp, việc duy trì độ tin cậy trong quá trình đọc/ghi của QLC NAND trở nên khó khăn hơn so với TLC NAND, do sự khác biệt nhỏ giữa các mức điện áp dẫn đến tăng tỷ lệ lỗi dữ liệu. Ngoài ra, QLC NAND cũng có chu kỳ ghi xóa thấp hơn so với TLC NAND, vì vậy thường được sử dụng trong các ứng dụng lưu trữ một chiều. Tiếp theo là PLC NAND, với sự tiến bộ về mức điện áp nhỏ hơn, cell nhớ sẽ đặt ra nhiều thách thức hơn cho việc duy trì độ tin cậy, và vi xử lý cũng cần có thuật toán sửa lỗi mạnh mẽ hơn để giảm thiểu tỷ lệ lỗi dữ liệu. Tuổi thọ của PLC NAND cũng có thể thấp hơn so với QLC NAND.
Tuy nhiên, Solidigm dường như rất tự tin vào công nghệ PLC NAND. Là một phần của Intel, Solidigm sử dụng thiết kế bán dẫn floating gate đặc trưng của Intel NAND và cho biết rằng thiết kế này rất phù hợp để tăng số lượng bit mà mỗi cell nhớ có thể lưu trữ, từ đó tạo điều kiện cho việc phát triển PLC NAND.Nguồn tham khảo: Tom's Hardware
