Buzz
SK Hynix vừa công bố thế hệ mới nhất của bộ nhớ 3D NAND với 176 lớp (176L). Điều này giúp SK Hynix trở thành một trong những nhà sản xuất hàng đầu. Trong khi đó, Samsung với V-NAND thế hệ thứ 7 chỉ có 160 lớp.
Bộ nhớ 3D NAND thế hệ 3 của SK Hynix áp dụng thiết kế Periphery under Cell (PUC) để giảm kích thước die. Mạch logic được đặt dưới các lớp cell nhớ tương tự như thiết kế CMOS Under Array của Intel và Micron. Thiết kế này giúp tăng năng suất bit trên mỗi tấm wafer lên 35% và tốc độ đọc trong mỗi cell nhớ tăng 20%. Tốc độ truy xuất giữa NAND và vi điều khiển SSD cũng được nâng từ 1,2 GT/s (Gigatransfer/s) của NAND 128 lớp lên 1,6 GT/s ở NAND 176 lớp.
SK Hynix đã bắt đầu sản xuất mẫu chip 3D NAND TLC 176 lớp có dung lượng 512 Gbit/IC. Chip đã được chuyển giao cho các nhà sản xuất vi điều khiển SSD để phát triển firmware tương thích. Dự kiến, NAND 176 lớp của SK Hynix sẽ được sử dụng trên các sản phẩm di động đầu tiên, như chip nhớ UFS trên điện thoại. Với tốc độ đọc nhanh hơn 70% và tốc độ ghi nhanh hơn 35% so với thế hệ trước, NAND 176 lớp sẽ cạnh tranh mạnh mẽ trên thị trường. Sau đó, 3D NAND 176 lớp sẽ được áp dụng cho SSD tiêu dùng và doanh nghiệp. Đồng thời, SK Hynix cũng dự định phát hành chip có dung lượng lên đến 1 Tbit/IC. Micron đã là nhà sản xuất hàng đầu ra mắt thế hệ 3D NAND 176 lớp, và sẽ nhanh chóng chuyển đổi sang công nghệ mới trên các dòng sản phẩm của mình. Trong khi đó, Intel và Kioxia/Western Digital cũng đang chuẩn bị cho các thế hệ NAND mới của mình. Samsung cũng sẽ ra mắt V-NAND thế hệ 7 160 lớp và có thể sẽ dùng công nghệ 'string stacking' để nâng cấp số lớp cell nhớ trong thời gian tới.
