Buzz
Trong khi phần lớn tin đồn gần đây về Galaxy S26 Edge tập trung vào việc nâng cấp dung lượng pin, kết quả benchmark mới trên Geekbench lại hé lộ thông tin đáng chú ý hơn về hiệu suất. Dường như Samsung đã chọn Snapdragon 8 Elite 2 - chipset mạnh nhất sắp ra mắt của Qualcomm - để trang bị cho flagship mỏng nhẹ thế hệ tiếp theo.
Galaxy S26 Edge sử dụng Snapdragon 8 Elite 2 xuất hiện trong bài test Geekbench
Theo kết quả Geekbench vừa được tiết lộ, bản SM-S947U được xác nhận là Galaxy S26 Edge cho thị trường Mỹ đã thể hiện năng lực ấn tượng của chip flagship thế hệ mới từ Qualcomm. Dù đây chỉ là phiên bản prototype và điểm số thương mại có thể còn cao hơn, nhưng kết quả này đã cho thấy sức mạnh đáng gờm của thiết bị.
Chipset được xác nhận là Snapdragon 8 Elite 2 sở hữu kiến trúc CPU 8 nhân với xung nhịp phá kỷ lục. Hai nhân chính đạt tốc độ 4,74 GHz, trong khi sáu nhân còn lại hoạt động ở mức 3,63 GHz. Những thông số này vượt trội hẳn so với thế hệ trước (4,32 GHz và 3,53 GHz), chứng tỏ bước tiến lớn về hiệu năng xử lý.
Theo kết quả benchmark, Galaxy S26 Edge ghi nhận 3.393 điểm single-core và 11.515 điểm multi-core. Khi so sánh với Galaxy S25 Edge (3.131 điểm đơn nhân và 9.391 điểm đa nhân), hiệu năng của S26 Edge đã có bước cải tiến vượt bậc với mức tăng 8% ở bài test đơn nhân và 22% ở đa nhân. Snapdragon 8 Elite 2 hứa hẹn mang lại sức mạnh xử lý đột phá, đem đến trải nghiệm mượt mà chưa từng có trên flagship này.
Những tin đồn khác xoay quanh Galaxy S26 Edge
Bên cạnh vi xử lý cao cấp, Samsung được cho là đang tập trung hoàn thiện mọi khía cạnh của mẫu smartphone mỏng nhẹ sắp tới.
Galaxy S26 Edge dự kiến sẽ kế thừa triết lý thiết kế thanh mảnh. Theo nguồn tin đáng tin cậy, máy sẽ có độ dày chỉ 5.5mm - mỏng hơn 0.3mm so với thế hệ trước. Điều này cho thấy Samsung đang theo đuổi sản phẩm không chỉ hiệu năng mạnh mà còn có thiết kế tinh tế, cạnh tranh trực tiếp với iPhone 17 Air được đồn đoán có độ mỏng tương đương.
Điểm đáng chú ý khác là khả năng nâng cấp dung lượng pin trên S26 Edge. Một số báo cáo cho biết pin sẽ tăng lên 4.200mAh (cao hơn 300mAh so với S25 Edge), thậm chí có nguồn tin đề cập đến mức 4.400mAh. Để đạt được điều này trong thiết kế mỏng, Samsung có thể sẽ áp dụng công nghệ pin tiên tiến mới.
Theo nhiều nguồn tin đáng tin cậy, camera siêu rộng trên S26 Edge sẽ được nâng cấp đáng kể lên 50MP, thay vì chỉ 12MP như thế hệ trước. Bản nâng cấp này hứa hẹn mang đến chất lượng ảnh chụp góc rộng vượt trội với độ chi tiết được cải thiện rõ rệt.
Theo thông tin từ Geekbench, Galaxy S26 Edge sẽ chạy hệ điều hành Android 16 kết hợp với phiên bản One UI mới nhất. Đây là điều hoàn toàn dễ hiểu và phù hợp với chiến lược phát triển sản phẩm của Samsung.
Những điểm đáng chú ý
Có thể thấy Galaxy S26 Edge với Snapdragon 8 Elite 2 đã thể hiện tiềm năng mạnh mẽ qua kết quả Geekbench. Việc tích hợp chipset hàng đầu này không chỉ giúp Samsung cạnh tranh công bằng với các đối thủ mà còn khẳng định vị thế dẫn đầu trong phân khúc flagship cao cấp.
