Buzz
Một thành phần quan trọng trong S26 Ultra được cải tiến đáng kể, giúp tăng tốc độ xử lý và cải thiện đáng kể thời lượng pin so với phiên bản tiền nhiệm.
Theo tiết lộ từ nguồn tin đáng tin cậy Ice Universe, Samsung sẽ tối ưu hiệu suất Galaxy S26 Ultra không chỉ bằng chipset mới mà còn nhờ bộ nhớ RAM LPDDR5X cao cấp với tốc độ 10.7 Gbps, sản xuất bởi Micron trên tiến trình 1γ (1-gamma) hiện đại.
Khác biệt rõ rệt so với Galaxy S25 Ultra sử dụng LPDDR5X tiến trình 1β (1-beta) 9.6 Gbps, bản nâng cấp này không chỉ tăng tốc mà còn tối ưu năng lượng. Micron khẳng định đây là loại RAM nhanh nhất thị trường, đặc biệt phù hợp cho AI và các tác vụ đòi hỏi xử lý dữ liệu khủng, mang lại phản hồi gần như tức thời.
Bên cạnh tốc độ vượt trội, RAM thế hệ mới còn giảm 20% mức tiêu thụ điện năng, hứa hẹn cải thiện đáng kể thời gian sử dụng pin. Với độ mỏng chỉ 0.61mm, thiết kế này giúp tiết kiệm không gian, tạo điều kiện để Samsung bố trí cảm biến camera lớn hơn hoặc viên pin dung lượng cao hơn.
Thế hệ RAM mới kết hợp 3 ưu điểm: tốc độ xử lý vượt trội, tiết kiệm 20% năng lượng và thiết kế siêu mỏng - mở ra không gian nâng cấp cho các thành phần khác.
Ngoài Micron, Samsung cũng có thể lựa chọn sử dụng LPDDR5X 10.7 Gbps tự sản xuất trên tiến trình 12nm đã công bố năm trước. Dù lựa chọn nhà cung cấp nào, người dùng vẫn được hưởng trọn vẹn lợi ích về hiệu năng, tiết kiệm điện năng và tối ưu không gian.
Trong năm trước, Samsung đối mặt với tình trạng RAM LPDDR5X tự sản xuất bị nóng quá mức, khiến 60% Galaxy S25 phải sử dụng bộ nhớ từ Micron. Hiện tại, hãng công nghệ Hàn Quốc được cho là đã hoàn thiện quy trình sản xuất và đang tích cực kiểm tra để đảm bảo độ ổn định cho thế hệ tiếp theo.
Ngoài những cải tiến về RAM và chipset, Galaxy S26 Ultra còn được đồn đoán sẽ sở hữu thiết kế tinh gọn và mỏng nhẹ hơn. Những nâng cấp này hứa hẹn giúp flagship mới của Samsung duy trì đà thành công từ S25 Ultra, đồng thời củng cố vị thế cạnh tranh ở phân khúc smartphone cao cấp.
