Buzz
Huawei cho biết sẽ tích hợp “thiết kế gập logic” vào thế hệ chip Kirin kế tiếp và có thể phải dựa vào hệ thống quang khắc EUV do SiCarrier phát triển, trong bối cảnh doanh nghiệp này từng được cho là đã tìm cách huy động 2,8 tỷ USD trong nửa đầu năm 2025.
Tại một hội nghị về bán dẫn tổ chức ở Thượng Hải, Huawei cho biết đã ghi nhận tiến triển trong phát triển công nghệ chế tạo vi mạch tự chủ, với mục tiêu đến năm 2031 đạt trình độ tương đương quy trình 1,4 nm mà TSMC dự kiến triển khai.
Huawei chia sẻ gì về định hướng phát triển vi mạch thế hệ mới
Các lệnh cấm vận từ Mỹ được cho là đã ngăn Huawei tiếp cận các hệ thống quang khắc và thiết bị tiên tiến cần thiết cho sản xuất vi mạch hiện đại. Điều này khiến hãng bị chậm lại so với nhiều đối thủ trong vài năm qua. Tuy vậy, Huawei vẫn khẳng định có thể tự phát triển vi mạch mà không phụ thuộc vào các công ty nước ngoài.
Thông tin mới được công bố tại hội nghị ISCAS 2026 của Hiệp hội Kỹ sư Điện và Điện tử (IEEE) diễn ra ở Thượng Hải. Tại đây, bà He Tingbo, Chủ tịch mảng kinh doanh bán dẫn của Huawei, đã chia sẻ một số nội dung liên quan đến tiến bộ công nghệ vi mạch của hãng.
“Thiết kế gập logic” và kế hoạch triển khai trên dòng chip Kirin
Một trong những điểm đáng chú ý là công nghệ mang tên “Thiết kế gập logic”. Thay vì giữ nguyên cách gọi tiếng Anh, có thể hiểu đây là “thiết kế gập logic”, hướng đến mục tiêu tăng mật độ bóng bán dẫn và nâng cao hiệu quả sử dụng năng lượng. Hiểu đơn giản, nếu đạt được như Huawei mô tả, cùng một diện tích vi mạch có thể chứa nhiều phần tử xử lý hơn và tiêu thụ điện hiệu quả hơn, từ đó giúp thiết bị mạnh hơn, mát hơn và tiết kiệm pin hơn.
Huawei cũng xác nhận rằng các bộ xử lý di động Kirin thế hệ tiếp theo sẽ là những vi mạch thương mại đầu tiên ứng dụng kiểu thiết kế này.
Mục tiêu 1,4 nm vào năm 2031 và vấn đề công nghệ quang khắc
Tuyên bố quan trọng nhất của Huawei tại sự kiện là đặt mục tiêu đạt năng lực quang khắc tương đương quy trình 1,4 nm tiên tiến của TSMC vào năm 2031. Tuy nhiên, Huawei không tiết lộ chi tiết cách thức thực hiện mục tiêu vốn được đánh giá là cực kỳ khó trong ngành bán dẫn.
Do bị hạn chế tiếp cận thiết bị từ ASML theo các quy định của Mỹ, Huawei có thể phải dựa vào hệ thống quang khắc tử ngoại cực tím do doanh nghiệp Trung Quốc SiCarrier phát triển. SiCarrier được xem là một trong những công ty đang hướng tới việc trở thành giải pháp thay thế trực tiếp cho thiết bị quang khắc EUV của ASML.
Trang Wccftech nhận định rằng Huawei có thể đã đầu tư số tiền rất lớn vào SiCarrier nhằm hỗ trợ phát triển máy quang khắc EUV. Trong nửa đầu năm 2025, SiCarrier được cho là đã tìm kiếm 2,8 tỷ USD vốn huy động. Hiện chưa có xác nhận Huawei có tham gia vòng gọi vốn này hay không, nhưng bài viết đánh giá khả năng này là cao.
Dù Huawei thể hiện sự tự tin với cột mốc 2031, việc triển khai thực tế vẫn là thách thức lớn nhất trong ngành bán dẫn, nơi các mục tiêu công nghệ thường đòi hỏi thời gian dài và nguồn lực rất lớn để biến thành sản phẩm và dây chuyền vận hành ổn định.
