Samsung chuẩn bị trình làng chip nhớ V-NAND thế hệ 9 và 10, mỗi chip sở hữu tới 430 lớp lưu trữ dữ liệu

Buzz

Ngày cập nhật gần nhất: 1/5/2026

Samsung vừa tiết lộ những thông tin ban đầu về hai thế hệ chip nhớ NAND mới dành cho cả phân khúc tiêu dùng lẫn doanh nghiệp, tương ứng thế hệ thứ 9 và thứ 10, dự kiến sẽ sớm được đưa ra thị trường. Ở hai dòng sản phẩm này, Samsung lần lượt tích hợp 290 lớp và 430 lớp NAND cell trên mỗi chip flash, qua đó thiết lập một cột mốc mới cho lĩnh vực bộ nhớ thể rắn.

Hiện nay, thị trường chip nhớ lưu trữ cho cả doanh nghiệp và người dùng cá nhân đang cho thấy đà phục hồi rõ rệt. Trước đó, sự dư thừa nguồn cung cùng với nhu cầu sụt giảm sau đại dịch COVID-19 – đặc biệt khi sức mua thiết bị công nghệ lao dốc từ năm 2021 đến nửa đầu năm 2023 – đã khiến thị trường chip NAND chịu tác động nặng nề. Trong bối cảnh đó, các nhà sản xuất như Kioxia, Samsung và SK Hynix buộc phải điều chỉnh sản lượng để ổn định giá bán. Ở thời điểm hiện tại, giá SSD đang có xu hướng tăng khá mạnh, nhất là trong phân khúc máy tính cá nhân và linh kiện PC.

Hiện tại, thế hệ chip nhớ flash thứ 8 của Samsung được thiết kế với 236 lớp cell NAND trên mỗi chip. Trong thời gian tới, khi các công nghệ bán dẫn mới nhằm gia tăng mật độ lưu trữ trên SSD vẫn chưa xuất hiện, những tập đoàn lớn trong ngành sẽ bước vào cuộc đua then chốt: tìm cách chồng xếp nhiều lớp NAND cell nhất có thể bên trong một chip nhớ để tối đa hóa dung lượng.

Dòng chip nhớ 9th Gen V-NAND của Samsung dự kiến sẽ chính thức ra mắt ngay trong năm 2024. Tiếp nối sau đó, sang năm 2025, thế hệ 10th Gen V-NAND với cấu trúc lên tới 430 lớp NAND cell trên mỗi chip cũng sẽ được thương mại hóa và phân phối ra thị trường.

Để hiện thực hóa mục tiêu này, Samsung áp dụng kỹ thuật mang tên “double stacking”, cho phép tối ưu điện năng và liên kết thêm nhiều cell NAND lưu trữ dữ liệu với nhau. Ưu điểm nổi bật của double stacking nằm ở việc cải thiện hiệu quả tiêu thụ điện cũng như nâng cao hiệu năng kết nối thông qua cầu interconnect. Bên cạnh đó, giải pháp này còn giúp giảm chi phí so với các phương pháp xếp chồng cell NAND truyền thống trên cùng một chip nhớ.

Một trong những nguyên nhân thúc đẩy cuộc đua gia tăng dung lượng và mật độ lưu trữ của chip nhớ hiện nay có thể xuất phát từ làn sóng phát triển chip xử lý AI. Các bộ xử lý machine learning đòi hỏi băng thông bộ nhớ cực lớn cùng dung lượng lên tới hàng trăm GB chỉ để vận hành một con chip duy nhất.

Theo WCCFTech

Nội dung từ Mytour nhằm chăm sóc khách hàng và khuyến khích du lịch, chúng tôi không chịu trách nhiệm và không áp dụng cho mục đích khác.

Nếu bài viết sai sót hoặc không phù hợp, vui lòng liên hệ qua Zalo: 0978812412 hoặc Email: [email protected]