Buzz
Khác với FinFET chỉ bao phủ một phần, GAAFET mở rộng tiếp xúc, tối ưu hiệu suất, giảm thất thoát năng lượng và kiểm soát dòng điện hiệu quả hơn.
Các nhà khoa học Đại học Bắc Kinh phát minh transistor từ vật liệu hai chiều bismuth oxyselenide, thay thế silicon truyền thống. Công nghệ dùng kiến trúc GAAFET với cổng bao quanh toàn bộ nguồn.
Thiết kế GAAFET vượt trội FinFET nhờ diện tích tiếp xúc lớn hơn, hiệu suất cải thiện, giảm rò rỉ năng lượng và kiểm soát dòng điện tối ưu.
Transistor 2D GAAFET được công bố trên Nature Materials có tốc độ vượt chip Intel 3nm tới 40% và chỉ tiêu thụ 90% năng lượng, vượt trội cả sản phẩm tiên tiến của TSMC và Samsung.
Nhóm phát triển đã tạo ra các đơn vị logic siêu nhỏ và khẳng định đây là 'transistor nhanh nhất, tiết kiệm năng lượng nhất từng có', được kiểm nghiệm trong môi trường tương đương chip thương mại cao cấp.
Giáo sư Peng Hailin so sánh: “Nếu nâng cấp từ vật liệu cũ là đi đường tắt, thì dùng vật liệu 2D là mở lối sang làn đường hoàn toàn mới”.
Thiết kế mới như mạng cầu nối chồng chéo, vượt qua rào cản thu nhỏ công nghệ silicon dưới ngưỡng 3nm, hứa hẹn tạo ra laptop mạnh mẽ với chip siêu nhỏ gọn.
